三星260亿美元的豪赌:想垄断DRAM和NAND闪存市场

2017-12-10 17:38· 腾讯科技  乐学 
   
任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。半导体工厂必须全负荷运行,才能维持最低的成本,只要价格能够支付各种可变开支和固定成本,那就值得继续维持工厂运转。

  据外媒报道,经过50年的发展,半导体市场仍然显得非常活跃,它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺,这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。

  三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍,提高至260亿美元。相对而言,英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元,较2016年增长了25%。事实上,三星的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。

  三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算,保障足够的供应量,从而保有自己的市场份额,要么干脆放弃竞争,因为三星更高的产能将会产生别人难以企及的规模经济效应。

  任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。半导体工厂必须全负荷运行,才能维持最低的成本,只要价格能够支付各种可变开支和固定成本,那就值得继续维持工厂运转。

  但是,如果它们不增加预算,提高产能,那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加并最终被淘汰出局的后果。不要指望英特尔和镁光的合资企业能够对抗三星。英特尔几十年前就退出了DRAM业务。

  英特尔和镁光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性闪存)可能能够在DRAM和闪存市场上占有一席之地。但是,这一希望注定落空,因为它们决定将3D XPoint捆绑到英特尔CPU上。此外,三星可以从Crossbar或Nantero公司那里购买或获得授权使用与NVRAM竞争的技术。

  对于消费者来说,一个利好的消息是:在未来12-18个月内,我们应该会看到更便宜的DRAM和NAND闪存出现。但是,从长远来看,我们可能会看到三星垄断DRAM和NAND闪存生产,减缓价格下降速度以及遏制竞争。

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