中微公司重磅发布六大半导体设备新产品 引领技术革新加速迈向平台化

中国无锡，2025年9月4日 —— 在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012.SH）宣布重磅推出六款半导体设备新产品。这些设备不仅充分彰显了中微公司在技术领域的硬核实力，更进一步巩固了其在高端半导体设备市场的领 先地位，为加速向高端设备平台化公司转型注入强劲新动能。

开幕式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士在主旨报告环节正式宣布了六款新设备的发布，并深入阐述了新产品的先进性能与独特优势。他强调，中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。公司2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70 %， 研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发投入水平。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升 —— 过去一款新设备的开发周期通常为3到5 年，如今仅需 2 年甚至更短时间就能推出*市场竞争力的产品并顺利落地。

尹志尧博士在开幕式上做主旨报告

刻蚀技术再攀高峰 两款新品又增核心竞争力

在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领 先和高效的解决方案。

中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”——通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。

中微公司Primo UD-RIE® 

今年 6 月，该设备的全球首台机已付运到客户认证，进展顺利，并和更多的客户展开合作。

中微公司Primo Menova™️

薄膜沉积布局升级  Preforma Uniflash®系列填补空白

在此次新品发布中，中微公司推出的 12 英寸原子层沉积产品 Preforma Uniflash®金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash®TiN、Preforma Uniflash®TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

随着半导体技术的迭代升级，原子层沉积技术的应用需求持续攀升，为中微公司长期发展开辟了更为广阔的空间。

中微公司Preforma Uniflash® 金属栅系列

坚持突破创新 构建多元产品矩阵

中微公司在新兴技术领域的布局同样令人瞩目，凭借独特设计成为行业焦点。凭借卓 越的工艺适应性和兼容性，该设备可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。去年 8 月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证，进展顺利，并将和更多的客户展开合作。

中微公司PRIMIO Epita® RP 

作为国内高端半导体设备制造的领军者，中微公司的技术实力已得到全球市场的广泛认可。截至 2025年6月底，公司累计已有超 6800 台等离子体刻蚀和化学薄膜设备的反应台，在国内外 155条生产线实现量产和大规模重复性销售，深度融入全球半导体产业链。

未来，中微公司将瞄准“打造世界级装备企业”战略目标，持续开发高端设备产品，不断提升产品的性能和质量、提高运营效率和风险管控能力，认真贯彻“五个十大”的企业文化，即“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、“营运管理十大章法”、“精神文化十大作风”和“领导能力十大要点”，坚持三维立体发展战略，坚持有机生长和外延扩展的策略，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，力争尽早成为高端设备平台化公司，在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司！