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【北京·海淀】成本高昂、效率低下、性能受限——这些长期困扰Micro LED芯片行业的普遍性难题，正被北京中微赛尔科技有限公司（以下简称“中微赛尔”）逐步攻克。近期，中微赛尔凭借*的“S-W”工艺完成关键突破，成功实现红光、绿光、蓝光三基色（RGB）全色域12英寸晶圆重构，在Micro LED芯片生产中极大降低成本、提高效率、改良性能，并为下一代单片全彩产品的量产奠定坚实基础。中微赛尔位于北京海淀，是一家专注于Micro LED等前沿显示技术的科技企业。公司立足于chip-wafer晶圆重构技术思路，创新提出“S-W”工艺，从底层解决发光材料与控制电路晶圆尺寸不匹配的行业核心难题，并基于此开发出DRSP像素架构。
一、Micro LED行业中核心难题：“发光材料”和“控制电路”的晶圆尺寸不匹配
Micro LED行业中，受限于当前技术，发光材料（半导体外延晶圆，如GaN、GaAs）通常为4英寸或6英寸，而控制电路（CMOS驱动晶圆，12英寸硅基产线）则为12英寸标准。两者关系如同“灯泡”与“灯泡开关电路板”，必须精确匹配。然而尺寸不统一导致行业被迫“削足适履”——将12英寸驱动晶圆切小，浪费率达23%左右；或或者牺牲部分性能，采用8英寸硅基化合物外延与8英寸CMOS驱动晶圆的方案，但依然存在浪费且无法有效解决红光难题。
二、中微赛尔*“S-W”工艺：在12英寸大硅片上高效重建发光层
中微赛尔立足于chip-wafer晶圆重构技术思路，创新提出“S-W”工艺。此工艺在建构12英寸Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片的同时，结合半导体制程特点，采用chiplet转移，实现了较高量产效率。中微赛尔“S-W”工艺的本质，是在12英寸大硅片上高效重建高性能Ⅲ-Ⅴ族化合物发光层，使发光材料与控制电路尺寸*匹配，可直接在主流12英寸产线上进行高效、低成本的一体化制造。
S-W工艺实物（中微赛尔*）
S-W工艺示意（中微赛尔*）
三、中微赛尔*“S-W”工艺技术优势一览
1. 更先进工艺：12英寸晶圆兼容更先进工艺制程，可设计生产更高精度、更先进的产品；
2. 更高效率：更大晶圆尺寸，量产效率更高，生产成本更低；
3. 更高产品良率：匹配目前主流CMOS驱动电路制程，良率显著提升；
4. 更强量产性：采用芯片组进行转移，提高转移效率，具备更强量产能力。
四、中微赛尔提出DRSP像素架构：为单片全彩奠定基础
为适应行业对单片全彩的迫切需求，中微赛尔提出DRSP像素架构。随着“S-W”工艺的突破，DRSP架构的开发获得坚实基础。相比业内原有方案，DRSP具备以下显著优势：
· 驱动衬底键合次数少，生产良率高，量产成本更低；
· 彩色像素架构更紧凑，发光位置更集中，有利于micro-Lens效率提升，整体出光效率提高5%以上；
· 红光区域面积最 大，有效规避红光“尺寸效应”短板，全彩产品亮度高于行业水平一倍以上；
· 发光层可根据材料特性及亮度需求灵活调整，获取最高发光效率（效率再提高5%以上），使产品在寿命、亮度、效率方面均具明显优势。
五、中微赛尔推动Micro LED终端生态繁荣发展
12英寸晶圆重构以及“S-W”量产关键工艺的成功验证，为Micro LED的规模化量产及成本大幅下降铺平了道路，将极大推动Micro LED终端生态的繁荣发展——覆盖智能穿戴、CPO光通信、光医疗、光计算、光存储、下一代空天通信等众多前沿领域。中微赛尔正以自主核心技术，持续引领Micro LED行业从“实验室”走向大规模低成本“量产线”，为全球显示产业注入中国创新的强劲动力。
北京中微赛尔科技有限公司专注于Micro LED等前沿显示技术，拥有晶圆重构、S-W工艺、DRSP架构等多项核心创新，致力于解决Micro LED芯片行业成本、效率、性能难题，推动下一代显示技术规模化应用。中微赛尔为Micro LED规模化量产及成本大幅下降铺平道路，极大推动终端生态繁荣发展
注：文中技术描述基于中微赛尔官方验证数据，符合国家相关科技法规及市场监管要求。
