0.7nm芯片，路线图更新

领 先的晶圆代工厂和IDM厂商正朝着2纳米（或同等）技术节点的量产迈进，其中环栅（GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用。GAA纳米片器件架构作为FinFET技术的后继者，旨在进一步缩小SRAM和逻辑标准单元的尺寸。

GAA 纳米片器件的主要特点是垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含一个堆叠用于 p 型器件，另一个堆叠用于 n 型器件。这种配置允许设计人员进一步缩小逻辑标准单元高度，其定义为每个单元的金属线（或轨道）数量乘以金属间距。设计人员还可以选择加宽沟道，以牺牲单元高度为代价换取更大的驱动电流。除了面积缩小之外，GAA 纳米片晶体管相比 FinFET 还具有另一个优势：栅极从各个方向包围导电通道，即使在较短的通道长度下也能增强栅极对通道的控制。

图 1 – GAA 纳米片器件的 TEM 图像

在芯片制造商过渡到CFET（complementary FET ）技术之前， GAA 纳米片技术预计将持续至少三代技术。

由于其 nMOS-pMOS 垂直堆叠结构， CFET 的集成复杂度显著高于常规纳米片器件。根据 imec 的路线图，这使得CFET 的量产只有从A7 节点开始才可行。这意味着GAA 纳米片时代必须至少延伸到 A10 技术节点，预计该节点的单元高度将小至90 纳米。然而，在不影响性能的情况下缩小基于 GAA 纳米片的标准单元尺寸极 具挑战性。

这正是forksheet 设备架构可能带来缓解的地方，它是一种非破坏性技术，比常规 GAA 纳米片技术具有更大的扩展潜力。

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Forksheet，1nm的依仗

2017 年，imec 推出了 forksheet 器件架构，首先作为 SRAM 单元的缩放助推器（ scaling booster），后来作为逻辑标准单元缩放推动器（scaling enabler）。其首次实现的独特之处在于在栅极图案化之前在 nMOS 和 pMOS 器件之间放置一层电介质壁（dielectric wall）。由于这堵墙位于逻辑标准单元的中间，因此该架构被称为“内壁”（inner wall）forksheet。该墙在物理上将 p 栅极沟槽与 n 栅极沟槽隔离，从而实现比 FinFET 或纳米片器件更紧密的 n 到 p 间距。这允许进一步缩小单元面积（单元高度高达 90nm），同时仍提供性能提升。

在这种“内壁”配置中，这些薄片由三栅极叉形结构（tri-gate forked structure）控制，该器件的名称由此而来。

图 2 – 内壁叉片装置的 TEM 图像

在 VLSI 2021 上，imec 展示了300 毫米内壁 forksheet 工艺流程的可制造性。对功能齐全的器件进行电气特性测试，证实 forksheet 是最有前景的器件架构，能够将逻辑和 SRAM 纳米片的微缩路线图扩展到A10 节点。由于集成流程重用了大部分纳米片的生产步骤，因此从纳米片到 forksheet 的技术演进可以视为非颠覆性的。

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可制造性正受到挑战

尽管硬件演示成功，但对可制造性的一些担忧仍然存在，这使得 imec 重新考虑并改进其最初的 forksheet 设备架构。主要的挑战与内壁本身的可制造性有关。

为了实现 90nm 逻辑标准单元高度，介电壁需要非常薄，在 8-10nm 范围内。但是，由于在设备工艺流程的早期制造，壁面会暴露于所有后续的前端制程 (FEOL) 蚀刻步骤中，这些步骤可能会进一步减薄壁面，这对壁面材料的选择提出了相当高的要求。

此外，为了能够实现特定于 n 或 p 的工艺步骤（例如 p/n 源极/漏极外延），专用掩模必须精确地落在薄介电壁上，这对p/n 掩模对准提出了挑战。

此外，实际应用中 90% 的器件都具有用于 n 和 p 沟道的公共栅极。在具有内壁forksheet 器件的标准单元中，介电壁会阻碍这种pn 连接栅极。除非将栅极做得更高以跨越该壁，但这又会增加寄生电容。

最后，芯片制造商担心三栅极架构，因为栅极仅从三面包围沟道。与 GAA 结构相比，栅极存在失去对沟道控制的风险，尤其是在沟道长度较短的情况下。

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“外壁”叉片：CELL边界处的介电壁

在2025年超大规模集成电路技术与电路研讨会（VLSI 2025）上，imec的研究人员展示了一种新颖的forksheet器件架构，并将其命名为“外壁”（outer wall）forksheet。他们通过TCAD仿真展示了这种外壁forksheet如何通过降低工艺复杂性、提供卓 越性能并保持面积可扩展性，从而改进其先前的设计。

图 3 – Imec 的逻辑技术路线图，展示了纳米片时代从 2nm 延伸到 A10 节点，采用外壁forksheet，然后过渡到 A7 及更高版本的 CFET

外壁forksheet将介电壁置于标准单元边界处，使其成为pp或nn wall。这使得每个wall可以与相邻的标准单元共享，并且可以加厚（至约15纳米），而不会影响90纳米的单元高度。

另一个显著特点是wall-last集成方法。整个工艺流程始于形成宽大的Si/SiGe堆叠——这是任何GAA技术中都会重复出现的步骤。在纳米片沟道释放步骤中蚀刻掉SiGe之后，该堆叠的Si层将形成纳米片状的导电沟道。介电壁最终会将该堆叠一分为二，两个极性相似的FET位于壁的两侧。介电壁本身在集成流程接近尾声时进行处理，即在纳米片沟道释放、源极/漏极回蚀和源极/漏极外延生长之后。替换金属栅极 (RMG) 步骤完成了集成流程。

图 4 – (顶部) 内壁和 (底部) 外壁forksheet结构示意图

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外壁forksheet的 5 项关键改进

与 GAA 纳米片器件相比，内外壁forksheets具有两个共同优势。在面积缩放方面，它们均能够在 A10 节点实现 90nm 逻辑标准单元高度，这与 A14 纳米片技术中 115nm 的单元高度相比更具优势。

第二个共同优势是寄生电容减小：位于壁两侧的两个场效应晶体管 (FET)（内壁为 n 和 p，外壁为 n 和 n/或 p 和 p）可以比基于纳米片的单元放置得更近，而不会引起电容问题。

此外，外壁forksheets有望在五个关键方面超内壁forksheets设计。

首先，由于采用了wall-last集成方法，电介质壁省去了几个复杂的FEOL步骤。因此，它可以由主流的二氧化硅制成。在后壁工艺步骤中，通过在宽Si/SiGe堆叠中形成沟槽并用SiO 2电介质填充来形成壁。

其次，由于wall位于单元边界，其宽度可以放宽至约 15nm，从而简化工艺。

第三，现在可以轻松连接一个标准单元内的n 和 p 器件的栅极，而无需穿过介电壁。

第四，外壁forksheets有望提供优于内壁器件的栅极控制，这与形成Ω-gate而非三栅极forksheets结构的能力相关。更宽的介电壁使得在最后的RMG步骤中对壁进行几纳米的刻蚀成为可能。这使得栅极能够部分环绕沟道的第四个边缘，从而形成W形栅极，增强了对沟道的控制。

通过TCAD模拟，imec的研究人员发现，刻蚀掉5纳米的介电壁是最 佳选择，可将驱动电流提高约25%。

图 5 – 壁面蚀刻对栅极形成的影响：从三栅极到 Ω 栅极，再到 GAA

第五个方面与forksheet集成流提供全沟道应变（full channel strain）的潜力相关，这是一种额外的性能提升，有利于驱动电流。通常，可以通过实施源极/漏极应力源来获得全沟道应变。该方法已被证明在（p型）FinFET中非常有效，但在GAA纳米片和内壁 forksheet 器件架构中难以实现。从概念上讲，其思路是将Ge原子并入源极/漏极区域。由于Ge原子比Si原子更大，它们会在Si沟道中引入压缩应变，从而提高载流子的迁移率。

图 6 – 在外壁forksheet 工艺流程开始时，在宽大的 Si（灰色）/SiGe（紫色）层堆栈顶部沉积一层“pre-wall”硬掩模（棕色）。这样，硬掩模下方的 Si“种子晶体”便可支持源极/漏极外延生长

外壁 forksheet 器件之所以能够实现完全有效的源极/漏极应力源，是因为采用了wall-last方法。在制作壁之前，硬掩模会继续覆盖宽 Si/SiGe 堆栈的中间部分，该部分稍后将用于形成壁（图 6）。此硬掩模下方的“Si spine”现在可以在源极/漏极外延生长期间充当种子晶体，充当从一个栅极沟道延续到下一个栅极沟道的硅“template”。这类似于 FinFET 技术中的Si subfin：想象一下将源极/漏极外延模块旋转 90°（图 7）。如果没有这样的硅晶体模板（template），源极/漏极外延界面处就会形成垂直缺陷，从而消除硅沟道内形成的压缩应变。

图 7 – 外壁forksheet中的Si spine（右）提供了从一个栅极沟道到下一个栅极沟道的连续硅晶体模板。这在概念上类似于 FinFET 技术中的Si subfin（左）

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SRAM 和环形振荡器设计中的

外壁forksheet

最后，imec 进行了一项基准研究，以量化外壁forksheet的功率性能面积 (PPA) 优势。

当比较 A10 外壁forksheet和基于 A14 纳米片的 SRAM 位单元的面积时，纳米片架构的面积优势就变得显而易见。布局显示，基于外壁forksheet的 SRAM 单元面积减少了 22% ，这是由于在栅极间距缩小的基础上，pp 和 nn 间距也减小了。

性能评估的另一个关键指标是环形振荡器的模拟频率，表示为有效驱动电流与有效电容之比 (I eff /C eff )。模拟表明，对于 A10 节点，需要一个外壁forksheet来保持与之前的 A14 和 2nm 节点的频率指标一致，前提是所有这些器件结构都能实现全沟道应力。

事实证明，在纳米片（2nm 和 A14）和内壁forksheet器件中实现全沟道应力具有挑战性，它的缺失会导致驱动电流损失约 33%。因此，预计在外壁forksheet器件中实现有效源/漏应力器的能力将在环形振荡器设计中产生进一步的性能优势。

图 8 – 环形振荡器仿真结果（有和没有后端 (BEOL) 负载）

展望与结论

叉片 (forksheet ) 器件架构由 imec 引入，旨在将基于纳米片的逻辑技术路线图扩展到A10 技术节点，并预期 CFET 能够实现量产。由于可制造性问题，imec 放弃了原有的内壁forksheet设计，并开发了“升级”版本：外壁forksheet。与内壁forksheet相比，新设计在提升性能和保持面积缩小的同时，确保了更高的可制造性。

展望未来，imec 目前正在研究外壁forksheet设计与 CFET 架构的兼容性，以及 CFET 能在多大程度上从这种创新的扩展助推器中获得 PPA 效益。

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