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第三代半导体扩产,硅的时代要结束了吗

硅的时代不会结束,但第三代半导体逐渐提高渗透率之后,肯定会挤占硅的渗透率。而这也将是中国企业反超国际巨头的一次机会。
2022-09-26 09:44 · 微信公众号:亿欧网  作者 | 陈俊一 编辑 | 马渭淞 常亮   
   

芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业,三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年;野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%;费城半导体指数 (SOX)近6个月(截至9月21日)更是跌了26.53%。

但此时,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 

安森美二季度财报发布后,就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”,而此前目标只是增长1倍;预计到2023年,碳化硅业务收入将超过10亿美元。3倍只是开始,甚至10倍都不止:安森美还计划在2025年前将把公司的碳化硅前道工艺产能扩大到目前的10倍以上。

意法半导体二季度财报也预计,2022年意法半导体碳化硅业务将获得7亿美元收入,到2023年将达到10亿美元。意法半导体还是特斯拉碳化硅功率模块的主要供应商——受益于汽车、工业等领域对碳化硅的需求,意法半导体同样在筹划扩产。

Wolfspeed今年上半年也宣布将在北卡罗来纳州查塔姆县建造新的碳化硅工厂,2030年完工后将成为世界上*的碳化硅材料工厂,其碳化硅晶圆制造能力增加约13倍,而目前Wolfspeed生产的碳化硅已经占全球碳化硅的60%以上。新工厂总投资将达到50亿美元,为此Wolfspeed还将申请与《芯片和科学法案》相关的联邦政府拨款。

有趣的是,Wolfspeed本是全球LED照明巨头科锐(Cree)旗下专注碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料的部门。Cree原计划将Wolfspeed卖给德国企业英飞凌,但由于美国国防部以国家安全为理由反对,最终Cree剥离掉原本占比三分之二的照明业务,在2021年10月正式宣布更名Wolfspeed,成为一家专注于第三代半导体的企业。

三倍、十倍、十三倍……不管是短期还是中长期,这些海外第三代半导体企业都有着非常高的预期增长倍数。这还仅仅是第三代半导体中碳化硅这一种材料,氮化镓等其他材料,同样有着高增长预期,与芯片行业砍单的“冷清”形成鲜明对比。

为什么出现这种冰火两重天?第三代半导体在当下中 美高科技竞争的形势下,又有着怎样的意义?

01

材料革命

硅基芯片的下行,有着国际博弈、非理性囤货等带来的周期性波动影响。碳化硅等第三代半导体在这一纷繁局面下的兴起,却更多是技术成熟之后其材料优势所致。

Wolfspeed公司首席技术官John Palmour就指出,一辆电动汽车采用碳化硅元器件的价值约在 250 美元至 500 美元之间(取决于其功率要求),但碳化硅元器件却能够为汽车制造商在电池成本、电池和逆变器的体积与重量以及冷却要求等多个方面节省成本,每辆车节省总成本可高达 2000 美元。

500美元付出换取2000美元收益,这是一个非常划算的投入产出比。据EV-Volumes统计,2021年全球销售电动车达650万辆,其中,纯电汽车销量约为460万辆,混合动力车型销量约为190万辆。不管是纯电还是混合动力,都对碳化硅等元器件有需求,仅以650万辆电动汽车计算,碳化硅在电动车市场的规模也有3.25亿美元。

看起来,似乎还是不够大?但碳化硅在电动汽车领域的大发展,仅仅只是一部分应用,在更多领域,第三代半导体还有着广泛的市场空间。

8月份,氮化镓龙头就以总价接近3亿美元,收购2021年营收位居全球前八的碳化硅企业GeneSiC。纳微半导体还预测:到2026年,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率技术的综合市场机会将超过200亿美元。

正因此,纳微半导体才决定:氮化镓和碳化硅两种材料的市场全都要抓。并且,纳微半导体也在汽车及更多领域开拓,为这一场材料革命储备尽可能多的客户。

在电动汽车领域,纳微客户包括比亚迪、路虎、梅赛德斯 AMG、吉利等数十家巨头。除了电动汽车,纳微还在太阳能和储能以及铁路、电网、工业电机等更广泛的工业市场拥有头部客户。

而在常见的汽车、消费电子快充装置之外,无论是军舰上的相控雷达,还是高铁上的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor ,IGBT)器件,氮化镓等材料都有着广泛且必不可少的应用,民用市场、军用市场规模上限都很高。

对于未来几年市场,有人乐观,同样也有并不那么激进的预测。TrendForce集邦咨询却预测:2025年第三代半导体碳化硅/氮化镓功率市场规模合计可达47.1亿美元,相比2020年7.3亿美元CAGR为45%。增长率虽高,但对比纳微2026年超过200亿美元市场的预测,相隔一年预测值却有着高达5倍以上的差别。

基于不同的计算方法以及各家智库掌握数据的不同,预测值不同也属正常。但大家没有异议的,是对产业未来高增长趋势的判断。

02

高增长带来产业风云变幻

众多行业人士对第三代半导体产业的乐观判断,与电动汽车产业等以电为核心驱动的产业拉动起的需求有很大关系。

要想让电动车续航更长,一靠开源,那就得增加电池容量;二靠节流,比如采用低损耗、耐高温及耐高压的碳化硅功率元件。

由于碳化硅禁带宽度是硅的3倍,导热率为硅的4-5倍,击穿电压为硅的8倍,电子饱和漂移速率为硅的2倍,在高电压、大功率工作环境下其性能更加优异,且电流传导效率更高。电动汽车如果采用第三代半导体碳化硅功率模块,可节约电动车整体能耗5%至10%。

天风证券测算,电动车使用碳化硅材料可让电机逆变器效率提升4%,并至少提高7%续航。而2018年特斯拉在 Model 3中首次将IGBT模块换成了SiC模块的案例数据也显示,在相同功率等级下,碳化硅模块封装尺寸明显小于硅模块,且开关损耗降低了75%,系统效率可以提高5%左右。这种替换成本每辆车尽管增加近1500元,但整车效率的提升可以在同样续航下使用更小的动力电池,从而在电池端将成本省回来。

但单汽车本身提高的百十公里或者更多续航里程,并不足以缓解人们的续航焦虑。甚至建立堪比加油站密度的充电站网络,也并非缓解续航焦虑的关键。

真正能缓解续航焦虑的,还是快充速度,而这,同样离不开第三代半导体。

据华为的一项研究,采用了800V高压模式的快充支持30%-80% SOC(荷电状态,反映电池的剩余容量)*功率充电,而低压大电流模式仅能在10%-20% SOC进行*功率充电,在其他区间充电功率下降得非常迅速。

但800V高压快充会涉及到车内电源到车外充电整个强电链路,硅基IGBT芯片难堪重任,而具备耐高压、耐高温、高频等优势的碳化硅器件是目前*的替代方案。

在电动车领域之外,碳化硅期间还可以使特高压电网损耗最高降低60%,轨道交通功率器件系统损耗降低20%以上。国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川近日就表示,第三代半导体未来产业规模将高达数千亿元人民币。

这个预测其实没有包括第三代半导体照明,而是对碳化硅、氮化镓快速发展的乐观预测。

如果将半导体照明计算在内,据CASA数据,2020年我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中,半导体照明整体产值约7013亿元,同比下降7.1%;碳化硅、氮化镓电力电子产值规模达44.7亿元,同比增长54%;氮化镓微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。

在以电为核心的诸多产业中,中国已经在电池领域成为全球产能*。中国在国际产业竞争中,往往是先取得产能、规模上的*,再借助产能优势逐渐攀升技术制高点。光伏产业就非常典型,而第三代半导体产业,能否复制这条成功之路呢?

03

中企何为

美国当然不会坐视中国的产业逆袭:哪怕是对中国已经逆袭成功但还未形成类似光伏产业全球*大产能的动力电池产业,美国已经开启了围堵之路。

在全球动力电池企业前十名中,中国厂商已经占据六席,宁德时代上半年全球市场份额更是从 28.6% 上升到 34.8%。而美国总统拜登在8月签署的《2022年通胀削减法案》(Inflation Reduction Act)就针对动力电池产业规定,2024年起,电池成分中包含任何产自“特别关注国”名单中的国家(中国在列),将不再适用补贴。

对此商务部新闻发言人束珏婷9月22日称,该法案相关措施以整车北美当地组装等条件作为提供补贴的前提,对其他进口同类产品构成歧视,涉嫌违反世贸组织最惠国待遇、国民待遇等原则。

但只要自身技术够硬,其实就无惧相关法案的围堵。

如前不久美国防部宣布将暂停接收F-35隐身战机,就是因为在其配套的涡轮发动机中,发现了中国制造的特殊磁铁。但由于全球并没有其他国家可以供应这种特殊磁铁,9月21日美国白宫只能表示,已决定不限制从中国进口这种烧结钕磁体。

而在第三代半导体领域,国内的碳化硅项目吸引汽车巨头参与投入,上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。同时,中国已经有一大批上市或待上市企业积极布局,且上半年增长飞速。

北方华创半年报显示,上半年获得营业收入54.44亿元,同比增长50.87%;净利7.55亿元,同比增长143.16%。斯达半导上半年实现营业收入11.54亿元,同比增长60.53%;净利3.47亿元,同比增长125.05%。

据央视财经报道,中国电科的碳化硅器件装车量已经达到100万台,旗下企业已经实现了6英寸碳化硅晶片的规模化生产,年产能达到15万片,处于国内前列。今年3月,还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶片产品。

中国电科第55研究所研发的以氮化镓功率放大器为主的多款产品,甚至还用于问天实验舱发射任务,并标志着氮化镓功放芯片首次在星载领域实现批量工程化应用。

天岳先进也在近日宣布,已成功研发8英寸碳化硅衬底,具有良好的结晶质量,且在粉料合成、热场设计、工艺固化、过程控制、加工检测等全流程实现技术自主可控。

而在氮化镓领域,国内企业在衬底、外延、设计、制造等领域均已实现布局,例如衬底制造商苏州纳维、东莞中镓;外延制造商晶湛半导体、江苏能华;设计企业安谱隆、海思半导体;制造企业三安集成、海威华芯等。据飞鲸投研,第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计,而在于工艺,相比较逻辑芯片难度降低;且对设备要求相对较低,投资额相对较小。

这些,都是对中国有利的因素。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲就曾在采访中指出,相较硅集成电路,第三代半导体材料对芯片性能起决定性作用,芯片制造工艺门槛相对低、投资小,对尺寸线宽、设计复杂度的要求远低于硅集成电路,在材料、装备、设计和芯片代工方面都有发展势头好的企业,是适合中国目前发力的半导体具体领域。

在国家政策和资金支持下,各地方政府掀起了第三代半导体投资热潮,目前已初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域,北京、深圳、济南、保定等多个城市都有深入布局,政府也“置身事内”,打造覆盖衬底、外延、芯片及器件、模组、封装检测以及设备和材料研发的第三代半导体全产业链生态。

Yole数据显示,硅仍是半导体材料主流,占比95%。随着第三代半导体渗透率逐年上升,2023年,碳化硅的渗透率有望达到3.75%,氮化镓渗透率达到1.0%,两者合计第三代半导体渗透率则可以达到4.75%。

尽管第三代半导体和*代、第二代并非替代关系,而是互补关系。硅的时代不会结束,但第三代半导体逐渐提高渗透率之后,肯定会挤占硅的渗透率。而这也将是中国企业反超国际巨头的一次机会。

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